IRF640N

Producator: IRF Infineon Technologies

Tip semiconductor: tranzistor unipolar canal N MOSFET

Tensiune drena-sursa:200V

Curent drena: 18A/25°C 13A/100°C 72A impuls

Putere disipata: 150W

Carcasa:TO220AB

Rezistenta in timpul functionarii: 0.15Ω

Timp inchidere: 5.5ns

Montare: PCB THT

Incarcatura poarta: 44.7nC

NC: 85412900

Pret/cantitate: 

35lei/10buc

250lei/100buc – 8-15 zile cu confirmare – email

Pret valabil pe site-ul propriu